Post-CMP清洁工

化学机械平化(CMP)技术是先进集成电路制造中的关键实现技术。在平化过程中沉积或形成的可能对产品成品率产生不利影响的缺陷和残留物随后在cmp后清洗步骤中被清除。用于后cmp (PCMP)清洗的水配方旨在保护平面化的金属和介质，防止金属腐蚀，同时提供光滑无缺陷的晶圆表面。

杜邦的PCMP产品是我们EKC技术投资组合的一部分。

DuPont™PCMPSolv™5600系列后cmp铜互连清洁器

杜邦™PCMPSolv™5600系列是一款高容量、后cmp铜互连清洁器，用于制造先进的半导体器件。它具有高pH的Cu BEOL配方，可用于各种阻隔浆。

它提供了以下功能:

• 优良的颗粒去除能力
• 先进的阻挡层金属和介电兼容性，包括Co和Ru
• 兼容ULK电介质
• 改进铜静态蚀刻，降低表面粗糙度
• 含铜氧化屏障(COB)功能
• 优异的去除BTA和其他有机物的能力
• TMAH免费
• 高稀释设计提高拥有成本

PCMPSolv™5615 / PCMPSolv™5620提供了一种经过制造验证的，低成本拥有后cmp铜清洁剂，具有铜BEOL的碱性pH配方。这种单一的化学溶液可用于酸性或碱性屏障浆;在铜和低k表面上提供非常低的缺陷;提供与敏感的低k和ULK薄膜增强兼容性;可与具有优良耐腐蚀性能的高级阻隔膜配套使用。PCMPSolv™5615 / PCMPSolv™5620提供稀释的灵活性，以满足所有设备清洗模块的低成本拥有目标。

PCMPSolv 5615是一种先进的PCMP配方，大批量生产，低成本拥有后cmp铜清洁剂，具有碱性pH配方铜BEOL。这种单一的化学溶液可用于酸性或碱性屏障浆;在铜和低k表面上提供非常低的缺陷;提供与敏感的低k和ULK薄膜增强兼容性;与Co和Ru的应用兼容，防止圆形环缺陷的形成。PCMPSolv™5615提供了稀释的灵活性，满足所有设备清洗模块的低成本拥有目标。

PCMPSolv™5650是一种先进的PCMP配方，大批量生产，低成本拥有后cmp铜清洁剂，具有碱性pH配方铜BEOL。这种单一的化学溶液可用于酸性或碱性屏障浆;在铜和低k表面上提供非常低的缺陷，提供与敏感的低k和ULK薄膜的增强兼容性，防止环形缺陷的形成，并与Co和Ru应用程序兼容，PCMPSolv™5650是专门为14nm以下的技术而设计的，有机缺陷控制和最低限度的铜和钴腐蚀。PCMPSolv™5650也是一种高浓缩化学品，可满足所有设备清洗模块的低成本拥有目标。

杜邦™PCMPSolv™3200系列后cmp钨互连清洁器

杜邦™PCMPSolv™3200系列是高容量，后cmp钨互连清洁器，用于制造先进的半导体器件，无论是BEOL和中间端线(MEOL)应用。例如Co和TiN。

PCMPSolv™3210提供了一种经过生产验证的，低成本拥有后CMP清洁剂，具有碱性pH为W CMP的配方。这种单一的化学溶液可以兼容W和Co，并在正硅酸乙酯或氮化硅薄膜上提供非常低的缺陷。PCMPSolv™3210还包含了来自TiN屏障的TiO2碎片的溶解剂。PCMPSolv™3210提供了稀释的灵活性，满足所有设备清洗模块的低成本拥有目标。

杜邦™PCMPSolv™2100系列后氧化铈泥浆CMP清洁剂

杜邦™PCMPSolv™2100是一款新的系列清洁剂，用于在使用了FEOL、MEOL和存储阵列层所需的二氧化铈CMP浆后清洗半导体晶片。

PCMPSolv™2110提供了一种经过制造验证的、低成本的后cmp清洁剂，具有酸性pH配方，可在氧化铈浆后使用。这种单一的化学溶液设计用于清洁氧化铈浆颗粒，并最大限度地减少cmp后残留的铈离子。它被设计用于传统的二氧化铈浆，以及最新的二氧化铈浆，粒子或正电荷或负电荷。PCMPSolv™2110能够消除cmp后的湿台清洗，如SPM或HF。