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电子邮件AR™快速蚀刻有机底抗反射涂层
为高级集成电路(IC)制造提供高分辨率微光刻技术
杜邦的有机底部抗反射涂层（BARC）是可交联聚合物，其在晶片上旋转，并用于控制从晶片表面的光反射到其上方的抗蚀剂材料中。Dupont的AR™快速蚀刻有机rBC基于含有发色团的聚合物，以减少衬底反射率并且包括在图案转移步骤期间快速蚀刻的富氧单体。这些产品的快速蚀刻性能和易于移除而无需显着抗蚀剂膜厚度损失是制造先进集成电路的关键。
- Dupont的AR™快速蚀刻有机BARC的优点
大大快于有机光刻胶的蚀刻速度
与具有与光致抗蚀剂具有相同蚀刻速率相同的蚀刻速率相比，AR™快速蚀刻有机条件蚀刻比光致抗蚀剂快。
比真空沉积的无机薄膜明显更快的蚀刻速率
杜邦的快速蚀刻技术可最大限度地降低抗蚀剂消耗，减少线边缘粗糙度变化，减少了模式传输后的关键尺寸（CD）变化。
易于移除而不明显损耗抗蚀剂膜厚度
AR™快速蚀刻有机BARCs蚀刻快速在模式转移步骤保持(更薄)的抗蚀厚度，这是更好的分辨率所必需的。
在高成品率和大批量生产中，保持集成电路的图案保真度和电阻图案厚度对良好的电性能至关重要。
图1. Dow Ar™快速蚀刻有机BARCS解决了对光刻胶分辨率产生负面影响的光反射问题。使用快速蚀刻有机BARC从基材中减少反射率。
图2.左侧的图像是使用DOW的AR™快速蚀刻有机BARC时改进的线宽控制的示例。右侧的图像显示出挤压线，当没有有机BARC时，常见的缺陷
图3。这是一个典型模式流程流的说明。陶氏AR™快速蚀刻有机BARCs在反射控制和蚀刻模式转移中发挥着关键作用。