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电子邮件通过化学方法通过硅验证的生产符合高纵横比要求
电镀镶嵌铜中的多年经验和成功使杜邦电子和成像通过硅通孔（TSV）化学物流带到先进的包装市场。我们的生产证明，三分铜解决方案使得甚至最具挑战性的TSV宽高比，导致：
- 高纯铜
- 自底向上填充时无间隙性能
- 快速镀速度
- 铜覆盖层的消除
由于TSV成为存储器堆叠中使用的主流互连技术，CMOS图像传感器，MEMS设备和2.5D插入器架构，Dupont仍然处于最前沿，优化产品，以满足TSV的不断发展需求。
产品线
- 连环™9200铜
- 什么是TSV科技?
通过硅通道(tsv)是垂直的电气互连，通过晶片蚀刻工艺形成，并填充铜或钨。tsv首先被引入到化合物半导体应用中，还被用于MEMS设备和CMOS图像传感器，以创建3D存储堆栈和2.5D插入器架构，这是由高性能计算需求驱动的。
- 铜为高纵横比孔
我们用于TSV生产的Cu化学物质旨在满足前缘TSV的要求，其纵横比为10:1。这就要求高纯度，无空隙的快速电镀，无缝隙的自底向上填充，最小的铜覆盖层，以减少对化学机械平化工艺的需要。
- 我们的半导体封装产品组合
杜邦为半导体行业提供完整的包装和装配材料组合。点击这里观看我们全面产品的短视频。