自旋对电介质

多级金属IC的高平坦化

在多电平金属集成电路(IC)设计中,利用自旋介质材料优化层间介质的平面化。在最后的钝化步骤之前,它们可以用来显著提高上层甲板的平面度。

杜邦在这一领域提供的材料是无碳的低介电常数(low-K)。我们的可流动氧化物(FOx)材料熔化和流动,在单层涂层应用中提供良好的缝隙填充和平面性,具有1.2微米无裂纹薄膜厚度和低吸湿性。

这些材料提供了许多关键的好处:高平整度降低了工艺的复杂性和成本;低水分吸收,易于集成;低介电常数降低了金属层内的寄生延迟。

产品产品供应

  • FOx-14
  • FOx-15
  • FOx-16
  • FOx-24
  • FOx-25

为确保您的多级金属IC可实现最佳的平面性以获得最佳可制造性,请选择杜邦作为您的材料合作伙伴。

  • 旋转电介质包括通过旋涂施加的可流动的氧化物材料,以优化复杂半导体几何形状上的均匀性。

半导体硅胶材料

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    自旋介质材料使多层金属集成电路更平面化,降低工艺复杂性和成本。

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