涉及用于制造半导体的材料时,大多数人都熟悉铜,但是有许多硅胶材料对于诸如化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)气/前体等关键方法是必不可少的,和旋转电介质(SOD)。
随着半导体行业拓宽其采用铜互连,铜扩散屏障具有低介电常数的需要增加 - 即相对于二氧化硅(SiO 2)和氮化硅(SiN)的小介电常数。
Low-K材料实现是用于允许持续的微电子器件持续缩放的策略之一,以保留在摩尔定律的路径上。
此外,随着图形分辨率变得更窄,芯片制造商对ALD过程中由氧化硅(SiO)或氮化硅制成的更薄薄膜的需求增加。这两种薄膜都需要使用特殊硅材料的前驱体处理步骤。
这是杜邦擅长的区域。
我们拥有业界最大的半导体硅胶材料市场份额,我们在空间中有产品超过20年。这些包括三甲基硅烷(3ms),四甲基硅烷(4ms),可流动的氧化物(Fox)和六氯酞烷(HCD)。
我们安全,高质量的基于硅的CVD前体材料,用于全球半导体制造业,包括SiO2,碳化硅(SiC),氧化碳化硅(SICO)和SINX薄膜。
我们的旋转电介质被广泛用于多级金属集成电路(IC)设计中的层间电介质。
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诸如化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)气/前体和旋涂电介质(SOD)的主要方法是必不可少的。