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杜邦电子产品及成像推出了三种新的清洁化学品,用于高级半导体制造

杜邦的EKC技术组合扩展了新的配方,用于cmp后清洗和蚀刻后残留物清除

加利福尼亚州海沃德,2019年6月27日 -杜邦电子和成像今天宣布了三种支持先进半导体制造的新化学物质:杜邦™EKC™PCMP2110清洁剂,EKC™PCMP3210清洁剂和EKC™590 CuSolve™remover。

杜邦的EKC技术组在半导体制造工艺中开发了用于精密清洁和表面制备的材料,包括前端和后端晶片工艺,包装和组装。这些新的扩展到EKC清理产品组合解决了许多与高级技术节点进程相关的复杂挑战,其中流程步骤的数量增加。EKC™PCMP2110和EKC™PCMP3210是用于化工后电机平面(CMP)清洁的新化学品,而EKC™590 Cusolve™是一种新的蚀刻残留物去除的产品。

最近的三种新创新,EKC™PCMP2110配制了使用基于Ceria的浆料的新兴逻辑和内存CMP进程。在高级节点,由于越来越高的去除率要求和小的二氧化铈粒度,CERIA CMP的清洁是挑战性的。EKC™PCMP2110提供了比今天市场上使用的专业清洁专业的CMP(PCMP)清洁性能提供更好的CMP(PCMP)清洁性能,同时也可以消除湿后卧式商品清洁步骤,如硫酸过氧化物混合物(SPM)或硫酸。

EKC™PCMP3210是杜邦PCMP的首页,专为Sub 14nm Finfet逻辑设计。EKC™PCMP3210与碱性配方中的钨相容,CMP(如氮化硅和TEOS)后有效地清洁介电层,防止在非常紧密的规格内腐蚀。EKC™PCMP3210已在高级节点上的许多制造商采用。

“由于客户向内存和逻辑移动到高级节点流程,CMP步骤的数量增加,高效的在线清洁变得更为重要,”杜邦电子和成像,EKC业务总监Douglas Holmes表示。“随着我们两个最新的PCMP产品的引入,我们可以帮助客户降低整体过程复杂性并保护晶圆收益率。”

EKC™590 CuSolve™是第一款商业蚀刻后清洁产品,用于在7nm及以上节点上创建铜互连。杜邦的去除化学技术可以在一个高效的步骤中消除反应离子蚀刻(RIE)残留物和蚀刻过程中使用的氮化钛掩模的残留物,同时也可以蚀刻氮化铝来填充铜金属。EKC™590兼容铜和钴,也向后兼容成熟的技术节点。

“通过EKC™590,客户可以在单一的快速步骤中删除氮化钛硬膜,蚀刻氮化铝和完整的原位清洁,”杜邦的抢购,Ph.D。电子和成像。“我们很高兴为客户带来一个用于Sub 7nm节点的第一款市场清洁解决方案,使他们能够创建高度可靠的铜互连。”

三款新产品均可在全球范围内进行取样。有兴趣的客户应联系他们的客户代表以了解更多信息。

关于杜邦电子和成像

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