光刻材料和服务

计量和成像服务

缺陷测试的平版成像服务和计量

我们的晶圆厂可以帮助您的成像和计量项目

让我们谈谈我们的工厂技术专家如何帮助您的光刻项目。除了提供材料的光刻技术,凭借我们先进的光刻成像和计量设备,我们可以帮助您的工作流程的其他方面。可提供的服务包括测量、缺陷测试、工艺设计或提供图形晶圆。

我们的晶圆厂有一系列的工具,从g线和i线光刻到ArF浸没光刻,为了更好地支持我们的客户和半导体行业,我们现在能够提供这些定制或批量测试。测试可以一次性完成,也可以作为重复事件长期完成。我们还拥有一整套计量工具,可用于在我们的设备上进行光刻成像或在非现场拍摄的晶圆上进行成像。我们的专家也可以协助开发新的光刻工艺,我们可以提供我们的光刻材料(如光刻胶,抗反射涂层和辅助材料)作为工艺设计或项目的一部分。

继续阅读以查看平版图像的类型可用的和计量工具,以及我们可以提供的服务示例。即使在这里未列出,请随时与我们联系我们。

  • 下面的例子展示了使用我们的设备可以做的工作类型:

    • CD测量:针对您为图案化ARF抗蚀剂晶圆指定的功能的CDS的测量,包括数据分析和摘要报告。
    • ARF成像晶片:使用我们的光致抗蚀剂,抗反射涂层和顶层涂层产品使用浸泡ARF条件进行图案化的晶片成像。
    • 缺陷分析:测量、评审和缺陷分析(包括EDX)。
    • 过程开发:根据您的设计要求,使用我们的抗蚀剂和辅助的新图案化过程的开发。使用您的生产晶片进行过程测试。
    • 材料筛选:样品材料的涂层和ArF图形评估,包括测试结果和数据的总结。

    这些示例代表我们可以提供的服务类型的小型采样。光刻成像和计量通常是根据项目需求所确定的定制设计,因此请随时与我们联系以讨论您的特定项目需求。

  • 技术

    晶片尺寸(mm)

    能力

    东盟地区论坛(193海里浸泡)

    300

    外套和模式

    ArF (193 nm干)

    200

    外套和模式

    KRF(248nm)

    200

    外套和模式

    线上(365海里)

    200

    外套和模式

    线上(365海里)

    One hundred.

    涂层和洪水暴露

    宽带

    200

    外套和模式

    宽带

    One hundred.

    涂层和洪水暴露

    g线路(436海里)

    One hundred.

    外套和模式

  • 计量

    晶片尺寸(mm)

    描述

    薄膜测量

    100/200/300.

    光学参数

    临界维扫描
    电子显微镜(CD-SEM)

    200/300

    CD测量

    缺点

    200/300

    薄膜缺陷检测工具,
    模式缺陷检查工具,
    缺陷审查工具,
    扫描电子显微镜

    扫描电子显微镜

    所有

    扫描电子显微镜,
    横截面图像

    扫描电子显微镜

    100/150/200

    自顶向下,x射线,
    背散射,
    缺陷检查

  • 能力

    晶片尺寸(mm)

    工具集

    溶解率

    100/150

    单点DRM激光器,GCA,DNS

    光密度

    One hundred.

    甘氨胆酸紫外-

    莳萝

    10

    洪水曝光工具,UV-Vis,GCA

联系我们

你心中有什么计划吗?成像和计量通常是定制设计,由项目的需求决定,需要高水平的协作。请填写以下简要表格,开始讨论您潜在的项目需求。

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