经生产验证的晶圆级封装

With production-proven metallization processes for high- and low-speed plating, DuPont Electronics & Imaging’s copper pillar products meet the strict requirements for today’s fine-pitch Cu pillar, Cu stud, and Cu µpillar processes used in advanced wafer-level packaging architectures, from flip-chip processes, to 2.5D and 3D integration schemes. Its additives and high-purity formulation address a wide process window, and are designed to work in perfect harmony with our under-bump metallization (UBM) and tin-silver capping chemistries to provide a seamless solution.

杜邦电子和成像Cu电镀化学脱汰特点包括:

  • 高电镀速度
  • 优异的厚度均匀性
  • 纯铜沉积
  • 可调的形状
  • 铜(Cu)支柱提供更精致的焊料凸块,以在芯片和封装基板,插入器或3D集成方案中形成互连。它们在使用光刻和沉积过程的凸块金属化(UBM)的顶部制造,并用锡银覆盖以形成电子互连。

  • 随着俯仰要求继续收缩,铜柱可以实现更高密度的设计,同时保持一致的凸块高度。下一代技术将具有窄至10至30μm的柱子。Dupont Electronics&Imaging的Cu电镀化学物质设计为超纯度和平衡,以在界面和无空隙柱处提供最佳的金属间层。

  • 杜邦为半导体行业提供完整的包装和装配材料组合。点击这里观看我们全面产品的短视频。

半导体包装材料

  • 铜柱电镀

    铜柱电镀

    我们的生产经过验证的Cu Parkar配方与我们的凹凸不可金属化(UBM)和锡银封盖化学物质完美和谐,为所有CU支柱需求提供无缝解决方案。

  • 铜层重新分配

    铜层重新分配

    用于再分配层的杜邦电子和成像铜化学物质(RDL)非常适合今天对晶圆级包装应用的高密度要求。

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  • 焊料碰盖

    焊料碰盖

    杜邦屡获殊荣的Solderon™BP电镀化学品是锡铅合金的可靠替代品,适用于所有晶圆碰撞应用。

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    铟电镀化学设计用于低温焊接工艺,用于高级晶片级包装,用于对温度敏感的新兴应用。

    HVM-经过验证的锡镀锡化学,用于无铅,精细焊接凸块应用,具有行业领先的过程多功能性。
  • 在凹凸金属化下

    在凹凸金属化下

    我们提供生产的经过生产验证的电镀镍化学,以满足各种UBM工艺需求

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  • 撞镀光阻

    撞镀光阻

    杜邦公司提供正色调和负色调光刻胶,以满足当今半导体先进封装应用中紧凑的间距和多变的地形。

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    圆片级封装干膜光刻胶解决方案,适用于3DIC、扇出、碰撞、铜柱和再分布应用。

    Dupont提供液体凸块电镀光致抗蚀剂,以及相关的辅助物,其非常适合使用单自旋涂层的晶圆级包装应用。
  • 通过铜通过铜

    通过铜通过铜

    电镀镶嵌铜的多年经验和成功有助于杜邦将前沿铜TSV化学物质带到先进的包装市场。

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  • 包装电介质

    包装电介质

    杜邦的包装介质配方具有机械性能、高分辨率、低温固化、易于处理和卓越的可靠性,可以保护您的先进WLP。

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